Különbség a BJT és a FET között

BJT vs FET

Mind a BJT (Bipolar Junction Transistor), mind a FET (Field Effect Transistor) kétféle tranzisztor. A tranzisztor egy elektronikus félvezető eszköz, amely nagymértékben megváltoztatja az elektromos kimeneti jelet a kis bemeneti jelek kis változásaihoz. Ennek a minőségnek köszönhetően az eszköz erősítőként vagy kapcsolóként is használható. A tranzisztor 1950-es években jelent meg, és a 20. század egyik legfontosabb találmányának tekinthető, figyelembe véve az IT fejlődéséhez való hozzájárulását. Különböző típusú tranzisztor architektúrákat teszteltünk.

Bipoláris junction tranzisztor (BJT)

A BJT két PN csatlakozásból áll (egy olyan csomópont, amely egy p típusú félvezető és az n típusú félvezető csatlakoztatásával készül). Ezt a két csomópontot három félvezető elem összekapcsolásával alakítják ki P-N-P vagy N-P-N sorrendben. Kétféle PNP és NPN néven ismert BJT áll rendelkezésre.

Három elektród van csatlakoztatva ehhez a három félvezető részhez, és a középső vezetéket alapnak nevezik. További két csomópont: „kibocsátó” és „kollektor”.

A BJT-ben a nagy kollektor emitter (Ic) áramot a kicsi alap emitter áram (IB) vezérli, és ezt a tulajdonságot erősítők vagy kapcsolók tervezésére használják ki. Ezért egy áram által vezérelt eszköznek tekinthető. A BJT-t főleg az erősítő áramkörökben használják.

Terepi tranzisztor (FET)

A FET három terminálból áll, amelyeket „kapu”, „forrás” és „elvezetés” néven ismertek. Itt a leeresztőáramot a kapu feszültsége szabályozza. Ezért a FET-k feszültségvezérelt eszközök.

A forráshoz és a lefolyáshoz használt félvezető típusától függően (FET-ben mindkettő ugyanabból a félvezető-típusból készül), a FET lehet N-csatornás vagy P-csatornás eszköz. Az áramlás áramlásának forrását a csatorna szélességének megfelelő beállításával lehet szabályozni a kapu megfelelő feszültségének megadásával. A csatorna szélességének kétféle módon történő vezérlésére is sor kerül, az úgynevezett kimerülés és javítás. Ezért a FET négy különféle típusban érhető el, például N csatorna vagy P csatorna, akár kimerülési, akár javító módban.

Sokféle FET létezik, mint például a MOSFET (fém-oxid félvezető FET), a HEMT (nagy elektronmozgású tranzisztor) és az IGBT (szigetelt kapu bipoláris tranzisztor). A CNTFET (szén nanocsövek FET), amelyet a nanotechnológia fejlesztése eredményezett, a FET család legújabb tagja.