BJT vs IGBT
A BJT (Bipolar Junction Transistor) és az IGBT (Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor) kétféle tranzisztor, amelyek az áramok vezérlésére szolgálnak. Mindkét eszköz PN csatlakozással rendelkezik, és szerkezetük eltérő. Bár mindkettő tranzisztor, jellemzőikben szignifikáns különbségek vannak.
BJT (bipoláris junction tranzisztor)
A BJT egy tranzisztor típus, amely két PN csatlakozást tartalmaz (egy olyan csomópont, amely egy p típusú félvezető és az n típusú félvezető csatlakoztatásával készül). Ezt a két csomópontot három félvezető elem összekapcsolásával alakítják ki P-N-P vagy N-P-N sorrendben. Ezért kétféle BJT, PNP és NPN néven ismert.
Három elektród van csatlakoztatva ehhez a három félvezető részhez, és a középső vezetéket alapnak nevezik. További két csomópont: „kibocsátó” és „kollektor”.
BJT - ben nagy kollektorkibocsátó (Ic) az áramot a kis alapkibocsátó áram vezérli (IB), és ezt a tulajdonságot erősítők vagy kapcsolók tervezésére használják ki. Ezért áramvezető eszköznek tekinthető. A BJT-t főleg az erősítő áramkörökben használják.
IGBT (Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor)
Az IGBT egy félvezető eszköz, amelynek három csatlakozója „Emitter”, „Collector” és „Gate” néven ismert. Ez egy olyan tranzisztor, amely nagyobb energiamennyiséget képes kezelni, és nagyobb kapcsolási sebességgel rendelkezik, így nagy hatékonyságú. Az IGBT az 1980-as években került piacra.
Az IGBT rendelkezik mind a MOSFET, mind a bipoláris junction tranzisztor (BJT) kombinált jellemzőivel. A kaput hajtják, mint a MOSFET, és olyan feszültségjellemzővel rendelkezik, mint a BJT. Ezért megvannak az előnyei mind a nagy áramkezelési képesség, mind a könnyű irányítás szempontjából. Az IGBT modulok (több eszközből állnak) kilovatt energiát kezelnek.
Különbség a BJT és az IGBT között 1. A BJT egy áram által vezérelt eszköz, míg az IGBT a kapu feszültsége 2. Az IGBT terminálok emitter, kollektor és kapu néven ismertek, míg a BJT emitterből, kollektorból és alapból készül. 3. Az IGBT-k jobban kezelik az áramkezelést, mint a BJT 4. Az IGBT a BJT és a FET (Field Effect Transistor) kombinációjának tekinthető. 5. Az IGBT összetett eszközszerkezete a BJT-hez képest 6. A BJT hosszú története van az IGBT-hez képest
|