Különbség az IGBT és a MOSFET között

IGBT vs MOSFET

A MOSFET (fém-oxid félvezető terepi hatású tranzisztor) és az IGBT (szigetelt kapu bipoláris tranzisztor) két típusú tranzisztor, és mindkettő a kapuhajtású kategóriába tartozik. Mindkét eszköz hasonló külső felépítésű, különböző típusú félvezető rétegekkel.

Fém-oxid félvezető terepi tranzisztor (MOSFET)

A MOSFET egy típusú Field Effect Transistor (FET), amely három kapocsból, kapu, forrás és lefolyó néven ismert. Itt az elfolyó áramot a kapu feszültsége szabályozza. Ezért a MOSFET-ek feszültségvezérelt eszközök.

A MOSFET négyféle típusú, például n csatornás vagy p csatornás formátumban kapható, akár kimerülési, akár továbbfejlesztési módban. A lefolyó és a forrás n típusú félvezetőből készül az n csatornás MOSFET-ekhez, és hasonlóan a p-csatornás eszközökhöz. A kapu fémből készül, és fém-oxiddal elválasztva a forrástól és a lefolyótól. Ez a szigetelés alacsony energiafogyasztást okoz, és előnye a MOSFET-nek. Ezért a MOSFET-et a digitális CMOS logikában használják, ahol a p- és az n-csatornás MOSFET-eket építőelemekként használják az energiafogyasztás minimalizálása érdekében.

Noha a MOSFET koncepcióját nagyon korán (1925-ben) javasolták, gyakorlatilag 1959-ben hajtották végre a Bell laboratóriumokban.

Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor (IGBT)

Az IGBT egy félvezető eszköz, amelynek három csatlakozója „Emitter”, „Collector” és „Gate” néven ismert. Ez egy olyan tranzisztor, amely nagyobb energiamennyiséget képes kezelni, és nagyobb kapcsolási sebességgel rendelkezik, így nagy hatékonyságú. Az IGBT az 1980-as években került piacra.

Az IGBT rendelkezik mind a MOSFET, mind a bipoláris junction tranzisztor (BJT) kombinált jellemzőivel. A kaput hajtják, mint a MOSFET, és olyan feszültségjellemzővel rendelkezik, mint a BJT. Ezért előnyei mind a nagy áramkezelési képesség, mind a könnyű irányítás. Az IGBT modulok (több eszközből állnak) kilowattteljesítményt tudnak kezelni.