PVD vs CVD
A PVD (fizikai gőzfázisú leválasztás) és a CVD (kémiai gőzfázisú leválasztás) két olyan módszer, amelyeket egy nagyon vékony anyagréteg létrehozására használnak az alapfelületre; általában vékony filmnek nevezik. Ezeket elsősorban a félvezetők gyártásánál használják, ahol az n és p típusú anyagok nagyon vékony rétegei megteremtik a szükséges csomópontokat. A PVD és a CVD közötti fő különbség az általuk alkalmazott folyamatok. Mint a nevekből már kiderült, a PVD csak a fizikai erőket használja a réteg lerakására, míg a CVD kémiai folyamatokat alkalmaz.
A PVD-ben a tiszta forrásanyagot gázosítják el párologtatás, nagy teljesítményű villamos energia alkalmazás, lézeres abláció és néhány más módszer alkalmazásával. A gázosított anyag ekkor kondenzálódik a hordozó anyagán, hogy létrejöjjön a kívánt réteg. A teljes folyamat során nem történnek kémiai reakciók.
A CVD-ben a nyersanyag valójában nem tiszta, mivel keveredik egy illékony prekurzorral, amely hordozóként működik. Az elegyet a szubsztrátot tartalmazó kamrába fecskendezzük, és azután lerakjuk. Amikor a keveréket már hozzáragasztják a szubsztrátumhoz, az prekurzor végül lebomlik, és a forrásanyag kívánt rétegét hagyja a hordozóban. A mellékterméket ezután gázáram útján távolítják el a kamrából. A bomlás folyamatát hő, plazma vagy egyéb folyamatok segítségével elősegíthetjük vagy felgyorsíthatjuk.
Legyen szó CVD-n vagy PVD-n keresztül, a végeredmény alapvetően megegyezik, mivel mindkettő nagyon vékony anyagréteget hoz létre a kívánt vastagságtól függően. A CVD és a PVD nagyon széles körű technikák, és számos, ezekkel specifikusabb módszer alkalmazandó. A tényleges folyamatok eltérhetnek, de a cél ugyanaz. Bizonyos technikák bizonyos alkalmazásokban jobbak lehetnek, mint mások költsége, egyszerűsége és számos egyéb ok miatt; ezért előnyben részesítik őket ezen a területen.
Összefoglaló: